行業(yè)主要上市公司：新潔能(605111.SH);捷捷微電(300623.SZ);華潤(rùn)微(688396.SH);聞泰科技(600745.SH);士蘭微(600460.SH);斯達(dá)半導(dǎo)(603290.SH);蘇州固锝(002079)等

本文核心數(shù)據(jù)：市場(chǎng)規(guī)模;產(chǎn)品占比;

功率半導(dǎo)體主要分為功率IC和功率分立器件

功率半導(dǎo)體可以分為功率IC和功率分立器件兩大類，其中功率分立器件主要包括二極管、晶閘管、晶體管等產(chǎn)品。功率半導(dǎo)體主要分為功率器件、功率IC。其中功率器件主要包括二極管、晶體管、晶閘管三大類別，其中晶體管是分立器件中市場(chǎng)份額最大的種類。常見晶體管主要有BJT、IGBT和MOSFET。MOSFET和IGBT逐漸成為主流，而多個(gè)IGBT可以集成為IPM模塊，用于大電流和大電壓的環(huán)境。功率IC是由功率半導(dǎo)體與驅(qū)動(dòng)電路、電源管理芯片等集成而來的模塊，主要應(yīng)用在小電流和低電壓的環(huán)境。

功率IC是細(xì)分產(chǎn)品的主流，比重50%

從功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)結(jié)構(gòu)來看，功率半導(dǎo)體可分為功率器件和功率IC兩大類，目前在國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中，占最大比重的是功率IC，占比為50%，而在功率器件領(lǐng)域，應(yīng)用較為廣泛的包括金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、整流二極管等，占比分別為24%、15%以及11%。

注：上述數(shù)據(jù)為2023年，截至2025年6月暫未有最新數(shù)據(jù)公布

功率IC產(chǎn)品市場(chǎng)波動(dòng)，海外企業(yè)占主導(dǎo)

中國(guó)目前是世界第一的制造大國(guó)，擁有覆蓋眾多領(lǐng)域的制造企業(yè)和完整的制造業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈，同時(shí)中國(guó)又擁有龐大的消費(fèi)市場(chǎng)。這給中國(guó)功率IC產(chǎn)業(yè)的崛起提供了豐富土壤。2017-2024年，中國(guó)功率IC市場(chǎng)規(guī)模波動(dòng)變化，2024年中國(guó)功率IC市場(chǎng)規(guī)模超過120億美元。功率IC市場(chǎng)中產(chǎn)品類型眾多、應(yīng)用極其廣泛，營(yíng)收非常分散，營(yíng)收比較集中的領(lǐng)域占少數(shù)。即便是同類型產(chǎn)品，也因功能、參數(shù)要求不同，常常需要針對(duì)性設(shè)計(jì)。功率IC領(lǐng)域技術(shù)入門門檻不高，但對(duì)企業(yè)的持續(xù)研發(fā)能力要求很高。中國(guó)功率IC市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)者主要包括國(guó)內(nèi)外企業(yè)。海外企業(yè)如英飛凌、德州儀器、安森美、意法半導(dǎo)體和亞德諾在全球市場(chǎng)中占據(jù)主導(dǎo)地位。國(guó)際市場(chǎng)上，幾家海外的巨頭企業(yè)入行較早，研發(fā)能力很強(qiáng)，技術(shù)和產(chǎn)品積累深厚，占據(jù)了較大的市場(chǎng)份額。

IGBT下游需求量較大，并向高端市場(chǎng)邁進(jìn)

功率IC廣泛應(yīng)用于消費(fèi)、通信、計(jì)算、汽車、工業(yè)等各個(gè)市場(chǎng)。當(dāng)下功率IC的技術(shù)趨勢(shì)正向著高集成度、定制化、高可靠性等方向演進(jìn)。高可靠性意味著功率IC的設(shè)計(jì)定制化;高集成度意味著功率IC日益復(fù)雜、制造工藝先進(jìn)化，目前已往40nm工藝節(jié)點(diǎn)往前邁進(jìn);定制化意味著終端客戶需求多樣、產(chǎn)品差異化;高可靠性意味著國(guó)內(nèi)客戶已向高端產(chǎn)品邁進(jìn)、IC參數(shù)的余量和溫度范圍等要求日益提升。國(guó)產(chǎn)功率IC高端產(chǎn)品缺位，需要加大技術(shù)投入和積累，及時(shí)了解和滿足客戶需求，方能贏得市場(chǎng)。中國(guó)功率IC研發(fā)在高端應(yīng)用賽道上有些缺失，如在工業(yè)領(lǐng)域、汽車產(chǎn)業(yè)、計(jì)算市場(chǎng)的服務(wù)器、通信的局端設(shè)備等可靠性要求高的領(lǐng)域。因此，未來中國(guó)功率IC市場(chǎng)研發(fā)主要向高端市場(chǎng)推進(jìn)，不斷實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。

中國(guó)“新基建”建設(shè)提速，其中5G基站、特高壓、軌道交通和充電樁等多個(gè)“新基建”板塊建設(shè)需求增長(zhǎng)，“新基建”各版塊的建設(shè)需求為中國(guó)IGBT市場(chǎng)帶來大量增量。同時(shí)，新能源汽車的高速發(fā)展，也推動(dòng)了中國(guó)IGBT行業(yè)的快速發(fā)展。結(jié)合Yole披露的數(shù)據(jù)，2024年中國(guó)IGBT功率半導(dǎo)體行業(yè)的市場(chǎng)規(guī)模約為226億元，同比增長(zhǎng)7%。

中國(guó)是MOSFET全球最大市場(chǎng)

按溝道結(jié)構(gòu)劃分，MOSFET可分為平面型、溝槽型和超結(jié)型三類。從分類標(biāo)準(zhǔn)看，MOSFET按載流子類型可分為N型和P型兩大類;按溝道形成方式可分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種，增強(qiáng)型MOSFET是主要產(chǎn)品類型;按照溝道結(jié)構(gòu)劃分，可分為平面型、溝槽型(包含溝槽型與屏蔽柵型)和超結(jié)型三類。根據(jù)ICwise的數(shù)據(jù)，中國(guó)MOSFET是全球最大的消費(fèi)市場(chǎng)，占比超過40%。2020-2024年中國(guó)MOSFET行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模從218億元增長(zhǎng)到412億元，年復(fù)合增速17%。

更多本行業(yè)研究分析詳見前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《中國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)前瞻與投資戰(zhàn)略規(guī)劃分析報(bào)告》

同時(shí)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院還提供產(chǎn)業(yè)新賽道研究、投資可行性研究、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、園區(qū)規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)招商、產(chǎn)業(yè)圖譜、產(chǎn)業(yè)大數(shù)據(jù)、智慧招商系統(tǒng)、行業(yè)地位證明、IPO咨詢/募投可研、專精特新小巨人申報(bào)、十五五規(guī)劃等解決方案。如需轉(zhuǎn)載引用本篇文章內(nèi)容，請(qǐng)注明資料來源（前瞻產(chǎn)業(yè)研究院）。

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