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預(yù)見2025:《2025年中國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)全景圖譜》(附市場(chǎng)現(xiàn)狀、競(jìng)爭(zhēng)格局和發(fā)展趨勢(shì)等)

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20 劉海晶 ? 2025-07-13 09:00:48  來源:前瞻產(chǎn)業(yè)研究院 E16265G0

行業(yè)主要上市公司新潔能(605111.SH);捷捷微電(300623.SZ);華潤(rùn)微(688396.SH);聞泰科技(600745.SH);士蘭微(600460.SH);斯達(dá)半導(dǎo)(603290.SH);蘇州固锝(002079)等

本文核心數(shù)據(jù):營(yíng)業(yè)收入;凈利潤(rùn);產(chǎn)量;市場(chǎng)規(guī)模;產(chǎn)品結(jié)構(gòu);

產(chǎn)業(yè)概況

1、定義及分類

功率半導(dǎo)體 (power semiconductor)是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。不同于一般的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu),功率半導(dǎo)體器件能夠承受高電壓、大電流,通常工作在開關(guān)狀態(tài),是電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,對(duì)電能高效產(chǎn)生、傳輸、轉(zhuǎn)換、存儲(chǔ)和控制起到關(guān)鍵作用,所處理的功率小至數(shù)瓦(W)大至兆瓦(MW)甚至吉瓦(GW)。

功率半導(dǎo)體分類可以按照控制類型、載流子以及驅(qū)動(dòng)方式進(jìn)行分類。

圖表1:功率半導(dǎo)體的分類標(biāo)準(zhǔn)

圖表2:功率半導(dǎo)體的類型

2、產(chǎn)業(yè)鏈剖析

功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游主要是原材料及設(shè)備供應(yīng)環(huán)節(jié),包括晶圓、光刻機(jī)、引線框架、寬禁帶材料及其他輔助材料的供應(yīng);功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中游主要是芯片制造設(shè)計(jì)封裝的生產(chǎn)制造環(huán)節(jié),包括功率半導(dǎo)體分立器件和功率模塊;功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈下游的應(yīng)用市場(chǎng)涵蓋不同領(lǐng)域的電子電器應(yīng)用環(huán)節(jié),包括消費(fèi)電子家用電器領(lǐng)域、工業(yè)控制網(wǎng)絡(luò)通信領(lǐng)域、軍工航空軌道交通領(lǐng)域以及從發(fā)電、輸電到用電的整個(gè)流程。

圖表3:功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈

基于上述功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈分析,前瞻梳理了全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)圖譜如下圖所示:

圖表4:功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)圖譜

行業(yè)發(fā)展歷程:目前進(jìn)入全產(chǎn)業(yè)鏈布局階段

中國(guó)功率半導(dǎo)體發(fā)展歷程可追溯至20世紀(jì)50年代,經(jīng)歷了起步與仿制階段、探索與積累階段、初步自主化階段與產(chǎn)業(yè)崛起階段,目前進(jìn)入了全產(chǎn)業(yè)鏈布局階段。

起步與仿制階段(1950s-1970s):初期以仿制蘇聯(lián)和歐美技術(shù)為主,主要生產(chǎn)二極管、晶閘管等基礎(chǔ)器件,用于工業(yè)整流和電力控制。70年代后,國(guó)內(nèi)開始建立半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈,但受限于工藝水平和國(guó)際技術(shù)封鎖,高端產(chǎn)品依賴進(jìn)口。

探索與積累階段(1980s-1990s):90年代至21世紀(jì)初,隨著改革開放深化,外資企業(yè)進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng),帶動(dòng)技術(shù)引進(jìn)與本土化生產(chǎn),MOSFET、IGBT等新型器件逐步進(jìn)入研發(fā)視野。這個(gè)階段主要是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)開始嘗試分立器件生產(chǎn),但自主創(chuàng)新能力薄弱。

初步自主化階段(2000年-2010年):外資企業(yè)如英飛凌、富士在華設(shè)廠,推動(dòng)MOSFET、IGBT技術(shù)擴(kuò)散。2006年“國(guó)家科技重大專項(xiàng)”政策出臺(tái),推動(dòng)功率半導(dǎo)體成為重點(diǎn)突破領(lǐng)域,中車時(shí)代電氣、比亞迪等企業(yè)啟動(dòng)IGBT自主研發(fā),2010年前后首條國(guó)產(chǎn)IGBT芯片生產(chǎn)線投產(chǎn),標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加速。

產(chǎn)業(yè)崛起階段(2010年-2020年):2015年后,新能源車、光伏、高鐵等產(chǎn)業(yè)爆發(fā),催生對(duì)高性能器件的巨大需求。2017年,一批本土功率廠商上市,其中一些主業(yè)為二極管、晶閘管、MOSFET等產(chǎn)品的企業(yè),紛紛謀求轉(zhuǎn)型生產(chǎn)價(jià)值更高的IGBT、碳化硅,國(guó)產(chǎn)替代不斷推進(jìn)。國(guó)內(nèi)企業(yè)如斯達(dá)半導(dǎo)士蘭微等在IGBT模塊領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn),華潤(rùn)微、三安光電布局SiC和GaN寬禁帶半導(dǎo)體,逐步縮小與國(guó)際差距。政府通過“中國(guó)制造2025”等政策強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同,建立從材料、設(shè)計(jì)到封測(cè)的完整體系。

全產(chǎn)業(yè)鏈布局階段(2020年至今):聚焦高壓、高頻、高可靠性技術(shù),構(gòu)建全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)。華為、比亞迪等企業(yè)加速研發(fā)車規(guī)級(jí)SiC MOSFET。政策加碼第三代半導(dǎo)體,多地建設(shè)產(chǎn)業(yè)園區(qū),突破國(guó)際專利壁壘,實(shí)現(xiàn)高端IGBT、SiC器件完全自主化。

圖表5:中國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展歷程

行業(yè)政策背景:提高自主可控是關(guān)鍵

功率半導(dǎo)體政策上,從加大資金支持、加大大型功率半導(dǎo)體等向企業(yè)開放力度、簡(jiǎn)化預(yù)算編制、簡(jiǎn)化緊急功率半導(dǎo)體調(diào)用流程、建立功率半導(dǎo)體共享資源數(shù)據(jù)庫(kù)等方面進(jìn)行了政策上的支持。這些政策有利于提高科技成果區(qū)域轉(zhuǎn)化效率,提升功率半導(dǎo)體的自主研發(fā)能力。國(guó)家層面功率半導(dǎo)體行業(yè)政策匯總?cè)缦拢?/p>

圖表6:截至2025年6月國(guó)家層面功率半導(dǎo)體行業(yè)政策匯總(一)

圖表7:截至2025年6月國(guó)家層面功率半導(dǎo)體行業(yè)政策匯總(二)

行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

1、中國(guó)半導(dǎo)體制造產(chǎn)能增長(zhǎng)13%

根據(jù)美國(guó)IC Insight半導(dǎo)體市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示,2019年-2021年中國(guó)制造產(chǎn)能年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到14.81%,2021年中國(guó)半導(dǎo)體制造產(chǎn)能約為357萬片/月。中國(guó)2023年產(chǎn)能為760萬片/月,增長(zhǎng)12%,隨著2024年預(yù)計(jì)投產(chǎn)的18個(gè)項(xiàng)目,產(chǎn)能增長(zhǎng)13%,達(dá)到860萬片/月。

圖表8:2019-2024年中國(guó)半導(dǎo)體制造產(chǎn)能(單位:萬片/月)

注:上述數(shù)據(jù)為中國(guó)大陸地區(qū),暫未包含中國(guó)臺(tái)灣的臺(tái)積電產(chǎn)能。

2、中國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)營(yíng)復(fù)蘇

隨著新能源汽車和AI服務(wù)器等高端領(lǐng)域持續(xù)火熱,功率器件需求長(zhǎng)期向好,在汽車電氣化、智能化加速的背景下,ADAS、電氣化動(dòng)力系統(tǒng)、高性能計(jì)算成為功率半導(dǎo)體的三大主要增量領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體行業(yè)營(yíng)收2019-2024年年復(fù)合增速為16.5%,凈利潤(rùn)C(jī)AGR為13.8%。2024年?duì)I收為634.06億元,同增12.40%,歸母凈利潤(rùn)為72.71億元,同增2.36%。2025年一季度功率半導(dǎo)體營(yíng)收和凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)18%、34%,回升顯著。功率半導(dǎo)體企業(yè)營(yíng)收自2024年一季度以來增速有逐步提升態(tài)勢(shì),2025年一季度營(yíng)業(yè)收入同比增長(zhǎng)18%,超過2024年一季度;凈利潤(rùn)增速?gòu)?024年Q1同比負(fù)32%上升至2025年Q1的34%,復(fù)蘇態(tài)勢(shì)顯著。

圖表9:2019-2025年中國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)營(yíng)收及凈利潤(rùn)(單位:億元)

圖表10:2019-2025年中國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)凈利潤(rùn)率(單位:%)

3、中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)步增長(zhǎng)

中國(guó)作為全球功率半導(dǎo)體最大的消費(fèi)國(guó),貢獻(xiàn)了約40%的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)。2018年以來,國(guó)內(nèi)物聯(lián)網(wǎng)、新能源和新一代通信網(wǎng)絡(luò)等新興?行業(yè)大大拉升了對(duì)上游功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求,2019年貿(mào)易摩擦干擾整體市場(chǎng)收入略微下降,2020年下半年起,國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體需求呈現(xiàn)高景氣特征,疊加產(chǎn)能不足因素,供求出現(xiàn)顯著錯(cuò)配,相關(guān)功率龍頭公司逐步提價(jià)。2022年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)至1368.86億元,同比增長(zhǎng)4.4%,2023年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模進(jìn)一步增長(zhǎng)至1519.36億元。初步測(cè)算,2024年市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)至1752.55億元,同比增長(zhǎng)15.3%。

圖表11:2019-2024年中國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模及增速(單位:億元,%)

4、中國(guó)功率半導(dǎo)體代表性企業(yè)市場(chǎng)需求分析

我國(guó)目前已經(jīng)初步建立起了包含二極管、晶閘管、IGCT、功率MOSFET、IGBT等全系列硅基功率電子器件產(chǎn)業(yè),在我國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中發(fā)揮了重要的作用。從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)來看,由于電子系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)相對(duì)穩(wěn)定,因此市場(chǎng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)仍將保持穩(wěn)定,但隨著分布式能源、高鐵、電動(dòng)汽車的快速發(fā)展,IGBT等大功率高端產(chǎn)品增速加快

圖表12:中國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)(單位:%)

注:上述數(shù)據(jù)為2022年,截至2025年6月暫未有最新數(shù)據(jù)公布

行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局

我國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)呈現(xiàn)金字塔格局,第一梯隊(duì)為國(guó)際大型半導(dǎo)體公司,憑借先進(jìn)技術(shù)占據(jù)優(yōu)勢(shì)地位;第二梯隊(duì)為國(guó)內(nèi)少數(shù)具備IDM經(jīng)營(yíng)能力的領(lǐng)先企業(yè),通過長(zhǎng)期技術(shù)積累形成了一定的自主創(chuàng)新能力,在部分優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域逐步實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代;第三梯隊(duì)是從事特定環(huán)節(jié)生產(chǎn)制造的企業(yè),如某種芯片設(shè)計(jì)制造、或幾種規(guī)格封裝測(cè)試。

圖表13:中國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)梯隊(duì)分析

產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景及趨勢(shì)預(yù)測(cè)

1、產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè):2030年預(yù)計(jì)接近2500億元

半導(dǎo)體器件是高科技、資本密集型行業(yè),是半導(dǎo)體市場(chǎng)的重要組成部分,受國(guó)際市場(chǎng)需求沖高及擴(kuò)大內(nèi)需政策成效顯現(xiàn)的共同作用,電子整機(jī)制造產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)明顯回升,計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、通信等整機(jī)產(chǎn)量的增長(zhǎng)及產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的持續(xù)升級(jí),大大拉動(dòng)了對(duì)上游半導(dǎo)體器件產(chǎn)品的需求。此外,伴隨著我國(guó)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)的調(diào)整,新能源、節(jié)能環(huán)保、智能電網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展,我國(guó)半導(dǎo)體器件的應(yīng)用領(lǐng)域得到進(jìn)一步拓展。初步測(cè)算,2025-2030年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模年復(fù)合增速為6%。

圖表14:2025-2030年中國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景預(yù)測(cè)(單位:億元)

2、產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)預(yù)測(cè):高效率、高可靠、高集成、高端化

未來,產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)是向著高效率、高可靠、高集成、高端化以及低成本的趨勢(shì)發(fā)展。功率半導(dǎo)體將向著高轉(zhuǎn)換效率、高功率密度、小體積方向發(fā)展,相應(yīng)地,芯片向著結(jié)構(gòu)優(yōu)化方向發(fā)展,以提升傳輸效率、減小芯片面積、降低成本。未模塊將向著優(yōu)化組合裝配和連接技術(shù)、提高抗溫度和負(fù)載變化的可靠性、改善散熱效果的方向發(fā)展。功率半導(dǎo)體器件作為實(shí)現(xiàn)電氣化系統(tǒng)自主可控的核心零部件,未來將在新能源汽車、高鐵、軍工、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域有著大量且迫切的需求。我國(guó)高端功率半導(dǎo)體器件有接近八成需要進(jìn)口,進(jìn)口替代空間廣闊,確保國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體器件的自主可控,已成為刻不容緩的戰(zhàn)略任務(wù)。

圖表15:中國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)

更多本行業(yè)研究分析詳見前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《中國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)前瞻與投資戰(zhàn)略規(guī)劃分析報(bào)告

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